NCEP6020AS（60V 20A）
采用先進的耐壓原理和優(yōu)化的設計結構,全新700～900V SJ-MOS Ⅱ系列產(chǎn)品為系統(tǒng)應用提供充足的耐壓余量，簡化系統(tǒng)設計難度，提高系統(tǒng)可靠性，滿足客戶對高耐壓、低導通電阻和高效率超結MOSFET的需求。
隨著信息化時代的到來，手機等電子設備的普及程度隨之加大，充電時間長次數(shù)多等問題困擾著人們。而隨著生活節(jié)奏的加快，手機電池容量加大，消費者迫切需要一種快速充電方案，緩解充電的煩惱。從而催生了快速充電器的發(fā)展和普及。
實現(xiàn)快速充電必然需要加大充電功率。大功率意味著充電器體積的增加，作為移動電子設備配件，充電器體積必須做到小型化，方便隨身攜帶，這對電源效率，溫升提出了更高的要求，所以催生了同步整流的發(fā)展。目前代表性的快充解決方案以PI，Iwatt為主。均采用同步整流，以提高電源效率，降低溫度。
無錫新潔能針對此應用推出了四款同步整流MOS NCEP6020ASNCE0110AS，NCE0114AS，NCEP0160G，并采用最新的Super Trench 工藝。SuperTrench MOS采用具有電荷平衡功能的屏蔽柵深溝槽（ShieldGate Deep Trench）技術，全面提升了器件的開關特性和導通特性，同時降低了器件的特征導通電阻（Rsp）和柵極電荷（Qg）,新款Super Trench MOS 軟體二極管性能可以有效降低同步整流中的電壓尖峰。
èNCEP6020AS（60V 20A）
- SOP-8封裝
- Vth=1.7V
- Ron10=4.0mR (Typ.)
- Ron4.5=4.4mR(Typ.)
- Qgd=10nC
Description
The NCEP6020AS uses Super Trench technology that is uniquely optimized toprovide the most efficient high frequency switching performance. Bothconduction and switching power losses are minimized due to an extremely lowcombination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequencyswitching and synchronous rectification.
General Features
● VDS=60V,ID =20A
RDS(ON)=4.0mΩ(typical) @ VGS=10V
RDS(ON)=4.6mΩ(typical) @ VGS=4.5V
● Excellent gate charge x RDS(on)product(FOM)
● Very low on-resistanceRDS(on)
●150 °C operating temperature
● Pb-free leadplating
●100% UIS tested
Application
● DC/DC Converter
●Idealfor high-frequency switching and synchronous rectification